Производитель Номер продукта:
RN1109,LF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1109,LF(CT-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентаризация:
12891402
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1109,LF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
47 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
22 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
SSM
Базовый номер продукта
RN1109
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN1109,LF(CTDKR
RN1109LF(CT
264-RN1109,LF(CTTR
RN1109,LF(CB
RN1109LF(CT-DG
264-RN1109,LF(CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
DDTC144WE-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DDTC144WE-7-F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2103,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
RN1308,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN2310(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
