RN1114(T5L,F,T)
Производитель Номер продукта:

RN1114(T5L,F,T)

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

RN1114(T5L,F,T)-DG

Описание:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

Инвентаризация:

12889196
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RN1114(T5L,F,T) Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
SSM
Базовый номер продукта
RN1114

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1114T5LFT
RN1114(T5LFT)TR
RN1114(T5LFT)CT
RN1114(T5LFT)DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1416,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1102MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

diodes

DDTC123JE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2303,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70