Производитель Номер продукта:
RN1114MFV,L3F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1114MFV,L3F-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VESM
Инвентаризация:
8000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889727
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1114MFV,L3F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-723
Комплект устройства поставщика
VESM
Базовый номер продукта
RN1114
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
RN1114MFVL3F-DG
RN1114MFVL3F
264-RN1114MFV,L3FDKR
264-RN1114MFV,L3FCT
264-RN1114MFV,L3FTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1111,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1117(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1415,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI