Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
RN1116(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1116(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентаризация:
73 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890831
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1116(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
SSM
Базовый номер продукта
RN1116
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
RN1114-18
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1116(TE85LF)CT
RN1116(TE85LF)DKR
RN1116(TE85LF)TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
DTC143XETL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
25683
Номер части
DTC143XETL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Номер детали
DDTC143XE-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
124025
Номер части
DDTC143XE-7-F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Номер детали
DTC124XETL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5440
Номер части
DTC124XETL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.04
Тип замещения
Similar
Номер детали
RN1316,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2920
Номер части
RN1316,LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2108,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
TDTC114E,LM
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
RN1109(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2105,LF(CT
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM