Производитель Номер продукта:
RN1117(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1117(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентаризация:
898 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13275864
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1117(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
SSM
Базовый номер продукта
RN1117
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN1117(TE85LF)DKR
264-RN1117(TE85LF)TR
264-RN1117(TE85LF)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2423(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
RN1108,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1112(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM