Производитель Номер продукта:
RN1119MFV,L3F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1119MFV,L3F-DG
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Инвентаризация:
8000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891517
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1119MFV,L3F Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-723
Комплект устройства поставщика
VESM
Базовый номер продукта
RN1119
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
RN1119MFVL3F-DG
264-RN1119MFV,L3FTR
RN1119MFVL3F
264-RN1119MFV,L3FDKR
264-RN1119MFV,L3FCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1417(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DDTA123TKA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3
DDTA124EUA-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
