RN1311,LF
Производитель Номер продукта:

RN1311,LF

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

RN1311,LF-DG

Описание:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SC-70

Инвентаризация:

3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891151
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RN1311,LF Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-70, SOT-323
Комплект устройства поставщика
SC-70
Базовый номер продукта
RN1311

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1311LF
264-RN1311,LFDKR
264-RN1311,LFTR
264-RN1311,LFCT
RN1311LF-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2106(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2422TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1306,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1110MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM