RN1508(TE85L,F)
Производитель Номер продукта:

RN1508(TE85L,F)

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

RN1508(TE85L,F)-DG

Описание:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV

Инвентаризация:

2486 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891666
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RN1508(TE85L,F) Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
300mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-74A, SOT-753
Комплект устройства поставщика
SMV
Базовый номер продукта
RN1508

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1508(TE85LF)TR
RN1508(TE85LF)DKR
RN1508(TE85LF)CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DCX124EU-7-F

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4905,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

diodes

DDC114TU-7-F

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4608(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6