Производитель Номер продукта:
RN1701,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1701,LF-DG
Описание:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Инвентаризация:
6359 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889195
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1701,LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
200mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Комплект устройства поставщика
USV
Базовый номер продукта
RN1701
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1701LFCT
RN1701LFTR
RN1701LFDKR
RN1701,LF(T
RN1701,LF(B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2961(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4989FE,LF(CT
NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2
RN2911(T5L,F,T)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6