Производитель Номер продукта:
RN1711,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1711,LF-DG
Описание:
NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891235
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1711,LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
200mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Комплект устройства поставщика
USV
Базовый номер продукта
RN1711
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN1711,LF(B
RN1711LFDKR
RN1711LFTR
RN1711LFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1902T5LFT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2909FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN1708,LF
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
