Производитель Номер продукта:
RN1962FE(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN1962FE(TE85L,F)-DG
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентаризация:
3815 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891334
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN1962FE(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
100mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
RN1962
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
RN1962FE(TE85LF)TR
RN1962FE(TE85LF)DKR
RN1962FETE85LF
RN1962FE(TE85LF)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RN1102MFV,L3F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13398
Номер части
RN1102MFV,L3F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1503(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
RN1704,LF
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH
RN4902,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
