Производитель Номер продукта:
RN2101ACT(TPL3)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2101ACT(TPL3)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Инвентаризация:
12889576
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2101ACT(TPL3) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
80 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-101, SOT-883
Комплект устройства поставщика
CST3
Базовый номер продукта
RN2101
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
RN2101ACT(TPL3)CT
RN2101ACT(TPL3)TR
RN2101ACT(TPL3)DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PDTA143TM,315
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
PDTA143TM,315-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Similar
Номер детали
PDTA143TMB,315
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
129900
Номер части
PDTA143TMB,315-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2402S,LF(D
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2304(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
RN2301,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
