Производитель Номер продукта:
RN2107ACT(TPL3)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2107ACT(TPL3)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Инвентаризация:
12890717
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2107ACT(TPL3) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
80 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-101, SOT-883
Комплект устройства поставщика
CST3
Базовый номер продукта
RN2107
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
RN2107ACT(TPL3)DKR
RN2107ACT(TPL3)TR
RN2107ACT(TPL3)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PDTA114TMB,315
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP Semiconductors
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
668175
Номер части
PDTA114TMB,315-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2402,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
RN2104MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1417,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI