Производитель Номер продукта:
RN2108,LXHF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2108,LXHF(CT-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973485
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2108,LXHF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
22 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
200 MHz
Мощность - Макс
100 mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Комплект устройства поставщика
SSM
Базовый номер продукта
RN2108
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN2108,LXHF(CT
264-RN2108LXHF(CTDKR
264-RN2108,LXHF(CTDKR
264-RN2108,LXHF(CTTR
264-RN2108LXHF(CTTR
264-RN2108LXHF(CT
264-RN2108,LXHF(CTTR-DG
264-RN2108,LXHF(CT-DG
264-RN2108,LXHF(CTDKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PDTA113ZU,115
TRANS PREBIAS
PDTA144WT,215
TRANS PREBIAS
RN2307,LXHF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
