Производитель Номер продукта:
RN2108ACT(TPL3)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2108ACT(TPL3)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
Инвентаризация:
12890877
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2108ACT(TPL3) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
80 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
22 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-101, SOT-883
Комплект устройства поставщика
CST3
Базовый номер продукта
RN2108
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
RN2108ACT(TPL3)TR
RN2108ACT(TPL3)CT
RN2108ACT(TPL3)DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1118(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2115MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1111ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3