RN2111ACT(TPL3)
Производитель Номер продукта:

RN2111ACT(TPL3)

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

RN2111ACT(TPL3)-DG

Описание:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Инвентаризация:

10000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889434
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RN2111ACT(TPL3) Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
80 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Мощность - Макс
100 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SC-101, SOT-883
Комплект устройства поставщика
CST3
Базовый номер продукта
RN2111

Дополнительная информация

Стандартный пакет
10,000
Другие названия
RN2111ACT(TPL3)TR
RN2111ACT(TPL3)CT
RN2111ACT(TPL3)DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1105,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2113ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2307(TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1115,LF(CT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM