Производитель Номер продукта:
RN2119MFV(TPL3)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2119MFV(TPL3)-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889108
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2119MFV(TPL3) Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 500µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Мощность - Макс
150 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-723
Комплект устройства поставщика
VESM
Базовый номер продукта
RN2119
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
RN2119MFV(TPL3)CT
RN2119MFV(TPL3)DKR
RN2119MFV(TPL3)TR
RN2119MFV(TPL3)-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DDTA113TE-7-F
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DDTA113TE-7-F-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.03
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN1104,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1105MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2302,LF
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70