Производитель Номер продукта:
RN2427TE85LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2427TE85LF-DG
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 800 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Инвентаризация:
4845 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889505
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2427TE85LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
Ток - коллектор (IC) (макс.)
800 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
2.2 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
10 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
90 @ 100mA, 1V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 1mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
200 MHz
Мощность - Макс
200 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
S-Mini
Базовый номер продукта
RN2427
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN2427TE85LFCT
RN2427TE85LF-DG
264-RN2427TE85LFTR
RN2427(TE85L,F)
264-RN2427TE85LFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DDTD143EU-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
RN1314(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1102T5LFT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
