Производитель Номер продукта:
RN2708,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2708,LF-DG
Описание:
PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890745
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2708,LF Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
200MHz
Мощность - Макс
200mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Комплект устройства поставщика
USV
Базовый номер продукта
RN2708
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
RN2708LFDKR
RN2708LFTR
RN2708LFCT
RN2708,LF(B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN2903FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
DDA124EH-7
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
RN2502(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
