Производитель Номер продукта:
RN2901,LXHF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN2901,LXHF(CT-DG
Описание:
AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=4
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Инвентаризация:
5980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966116
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN2901,LXHF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
4.7kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
30 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
200MHz
Мощность - Макс
200mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
RN2901
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN2901,LXHF(CTTR
264-RN2901,LXHF(CT
264-RN2901,LXHF(CTDKR
264-RN2901LXHF(CT
264-RN2901LXHF(CTDKR
264-RN2901,LXHF(CTTR-DG
264-RN2901,LXHF(CT-DG
264-RN2901LXHF(CTTR
264-RN2901,LXHF(CTDKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN4989,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
RN2907,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=1
RN1911,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1