Производитель Номер продукта:
RN4911,LXHF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN4911,LXHF(CT-DG
Описание:
AUTO AEC-Q TR PNP+NPN BRT Q1BSR=
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 100mW Surface Mount US6
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12966133
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN4911,LXHF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
200MHz, 250MHz
Мощность - Макс
100mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
RN4911
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN4911,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4911,LXHF(CTDKR
264-RN4911,LXHF(CTTR
264-RN4911LXHF(CTTR
264-RN4911LXHF(CT
264-RN4911,LXHF(CT
264-RN4911LXHF(CTDKR
264-RN4911,LXHF(CT-DG
264-RN4911,LXHF(CTTR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UMH10NFHATN
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
UMD2NFHATR
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
EMB10FHAT2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR