Производитель Номер продукта:
RN4985FE,LXHF(CT
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
RN4985FE,LXHF(CT-DG
Описание:
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Инвентаризация:
7980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12973833
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RN4985FE,LXHF(CT Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
2.2kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz, 200MHz
Мощность - Макс
100mW
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
RN4985
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
264-RN4985FE,LXHF(CTDKR
264-RN4985FE,LXHF(CTTR-DG
264-RN4985FELXHF(CT
264-RN4985FELXHF(CTTR
264-RN4985FELXHF(CTDKR
264-RN4985FE,LXHF(CT-DG
264-RN4985FE,LXHF(CTDKR-DG
264-RN4985FE,LXHF(CTTR
264-RN4985FE,LXHF(CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RN4988FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=22KO
2SC164S_R1_00001
APPLICATION SPECIFIC MULTICHIP C
NSVMUN5338DW1T3G
SS SC88 DUAL BRT TRPDBN
