RN4988(TE85L,F)
Производитель Номер продукта:

RN4988(TE85L,F)

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

RN4988(TE85L,F)-DG

Описание:

NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6

Инвентаризация:

2980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13275901
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RN4988(TE85L,F) Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
22kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz, 200MHz
Мощность - Макс
200mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
RN4988

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-RN4988(TE85LF)TR
264-RN4988(TE85LF)DKR
264-RN4988(TE85LF)CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1710JE(TE85L,F)

NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=

rohm-semi

FMC2T148

TRANS DGTL BJT NPN/PNP SMT5

diodes

DDC143XU-13

Prebias Transistor SOT363 T&R 10

micro-commercial-components

UMD10N-TP

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V