RN4991FE,LF(CT
Производитель Номер продукта:

RN4991FE,LF(CT

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

RN4991FE,LF(CT-DG

Описание:

NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6

Инвентаризация:

12889594
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RN4991FE,LF(CT Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
10kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
-
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Частота - переход
250MHz, 200MHz
Мощность - Макс
100mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
RN4991

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000
Другие названия
RN4991FELF(CTCT
RN4991FE,LF(CB
RN4991FELF(CTDKR
RN4991FELF(CTTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2902FE(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1502(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4982,LF(CT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1910FE(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6