Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SSM3J120TU,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J120TU,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
Подробное описание:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12890672
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J120TU,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
U-MOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
38mOhm @ 3A, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22.3 nC @ 4 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1484 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
UFM
Упаковка / Чехол
3-SMD, Flat Leads
Базовый номер продукта
SSM3J120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SSM3J120TU
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM3J120TULFTR
SSM3J120TU(T5L,T)
SSM3J120TU(TE85L)TR
SSM3J120TU(T5LT)DKR
SSM3J120TU (T5L,T)
SSM3J120TULFDKR
SSM3J120TU,LF(T
SSM3J120TU(TE85L)DKR
SSM3J120TU(T5LT)CT-DG
SSM3J120TU(TE85L)DKR-DG
SSM3J120TU(T5LT)TR
SSM3J120TU(TE85L)TR-DG
SSM3J120TU(T5LT)TR-DG
SSM3J120TU(T5LT)DKR-DG
SSM3J120TUT5LT
SSM3J120TULFCT
SSM3J120TU,LF(B
SSM3J120TU(TE85L)CT-DG
SSM3J120TU(T5LT)CT
SSM3J120TU(TE85L)CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PMPB33XP,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
31498
Номер части
PMPB33XP,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.08
Тип замещения
Similar
Номер детали
SSM3J133TU,LF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
106343
Номер части
SSM3J133TU,LF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.09
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
TK5Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
TK10A60E,S5X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS