Производитель Номер продукта:
SSM3J15FV,L3F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J15FV,L3F-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Подробное описание:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Инвентаризация:
46790 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891319
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J15FV,L3F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
π-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.7V @ 100µA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
VESM
Упаковка / Чехол
SOT-723
Базовый номер продукта
SSM3J15
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
SSM3J15FV,L3F(B
SSM3J15FV,L3F(T
SSM3J15FVL3FTR
SSM3J15FVL3FCT
SSM3J15FVL3FDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK7A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
TK7E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
TK11A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
