Производитель Номер продукта:
SSM3J338R,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J338R,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Подробное описание:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Инвентаризация:
412262 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889386
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J338R,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 8V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.6mOhm @ 6A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23F
Упаковка / Чехол
SOT-23-3 Flat Leads
Базовый номер продукта
SSM3J338
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
SSM3J338R,LF(B
SSM3J338RLFDKR
SSM3J338RLFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SK3662(F)
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
SSM3H137TU,LF
MOSFET N-CH 34V 2A UFM
TK30S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
