Производитель Номер продукта:
SSM3J356R,LXHF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J356R,LXHF-DG
Описание:
AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Подробное описание:
P-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Инвентаризация:
5418 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12955228
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J356R,LXHF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
300mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+10V, -20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23F
Упаковка / Чехол
SOT-23-3 Flat Leads
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-SSM3J356R,LXHFCT
SSM3J356R,LXHF(B
SSM3J356RLXHF
264-SSM3J356R,LXHFTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL530STRR
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
FDC658APG
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
IAUC60N04S6L039ATMA1
IAUC60N04S6L039ATMA1
