Производитель Номер продукта:
SSM3J375F,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J375F,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Инвентаризация:
23154 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949648
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J375F,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+6V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
270 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
600mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
S-Mini
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SSM3J375
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM3J375FLFDKR
SSM3J375FLFTR
SSM3J375F,LF(B
SSM3J375FLFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMJ65H650SCTI
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
ZXMN3A02X8TA
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
