Производитель Номер продукта:
SSM3J66MFV,L3XHF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
Описание:
AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA
Подробное описание:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Инвентаризация:
14411 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996440
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J66MFV,L3XHF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+6V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
100 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
VESM
Упаковка / Чехол
SOT-723
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR
264-SSM3J66MFVL3XHFTR
264-SSM3J66MFVL3XHFDKR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFDKR-DG
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR-DG
264-SSM3J66MFVL3XHFCT
264-SSM3J66MFV,L3XHFTR
264-SSM3J66MFV,L3XHFCT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2102A-TP
N-CHANNEL MOSFET
PSMN018-100ESFQ
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
