Производитель Номер продукта:
SSM3K121TU
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3K121TU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 3.5A SC70
Подробное описание:
N-Channel 20 V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
Инвентаризация:
13002372
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3K121TU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
48mOhm @ 2A, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.9 nC @ 4 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
UFM
Упаковка / Чехол
3-SMD, Flat Leads
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1
Другие названия
264-SSM3K121TU
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHA150N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
AO4485
SOP-8 MOSFETS ROHS
CGD65A055S2-T07
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
