Производитель Номер продукта:
SSM3K357R,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3K357R,LF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Подробное описание:
N-Channel 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Инвентаризация:
52896 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889852
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3K357R,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
π-MOSV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
650mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
3V, 5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.5 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
60 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23F
Упаковка / Чехол
SOT-23-3 Flat Leads
Базовый номер продукта
SSM3K357
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM3K357RLFDKR
SSM3K357RLFTR
SSM3K357RLFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM6K781G,LF
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
SSM5H12TU(TE85L,F)
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
SSM3K106TU(TE85L)
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
