SSM3K376R,LXHF
Производитель Номер продукта:

SSM3K376R,LXHF

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

SSM3K376R,LXHF-DG

Описание:

SMOS LOW RON NCH ID: 4A VDSS: 30
Подробное описание:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F

Инвентаризация:

12964246
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SSM3K376R,LXHF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+12V, -8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
200 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23F
Упаковка / Чехол
SOT-23-3 Flat Leads

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM3K376R,LXHF(B
264-SSM3K376RLXHFTR
264-SSM3K376RLXHFCT
264-SSM3K376RLXHFDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J168F,LXHF

SMOS LOW RON VDS:-60V VGSS:+10/-

onsemi

NTMFS7D8N10GTWG

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

vishay-siliconix

SQ7415CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)

onsemi

NTBG015N065SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL