Производитель Номер продукта:
SSM6H19NU,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6H19NU,LF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 40 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Инвентаризация:
54777 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890496
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6H19NU,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 8V
Rds On (макс.) @ id, vgs
185mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
130 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-UDFN (2x2)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
SSM6H19
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM6H19NU,LF(T
SSM6H19NULFTR
SSM6H19NULFDKR
SSM6H19NU,LF(B
SSM6H19NULFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
TPH4R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
TK35N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
