Производитель Номер продукта:
SSM6J213FE(TE85L,F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6J213FE(TE85L,F-DG
Описание:
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Инвентаризация:
12891203
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6J213FE(TE85L,F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
290 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
ES6
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SSM6J213
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SSM6J213FETE85LF
SSM6J213FE(TE85LFTR
SSM6J213FE(TE85LFCT
SSM6J213FE(TE85LFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPN11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
