Производитель Номер продукта:
SSM6J215FE(TE85L,F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6J215FE(TE85L,F-DG
Описание:
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Инвентаризация:
27 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889758
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6J215FE(TE85L,F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
59mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.4 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
630 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
ES6
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SSM6J215
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SSM6J215FE(TE85LFDKR
SSM6J215FE(TE85LFCT
SSM6J215FE(TE85LFTR
SSM6J215FETE85LF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM3J145TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3A UFM
TK3R1A04PL,S4X
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
