Производитель Номер продукта:
SSM6J216FE,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6J216FE,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Подробное описание:
P-Channel 12 V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6
Инвентаризация:
800 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891088
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6J216FE,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1040 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
700mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
ES6
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SSM6J216
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SSM6J216FELFDKR
SSM6J216FELF
SSM6J216FELFCT
SSM6J216FE,LF(A
SSM6J216FELF-DG
SSM6J216FELFTR
SSM6J216FELF(A
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPCA8031-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 24A 8SOP
2SK2962(TE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
TP86R203NL,LQ
MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
