Производитель Номер продукта:
SSM6J507NU,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6J507NU,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Подробное описание:
P-Channel 30 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Инвентаризация:
2758 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890458
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6J507NU,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20.4 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
+20V, -25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1150 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-UDFNB (2x2)
Упаковка / Чехол
6-WDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
SSM6J507
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM6J507NU,LF(T
SSM6J507NU,LF(B
SSM6J507NULFTR
SSM6J507NULFDKR
SSM6J507NULFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
TPCA8103(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
TK7P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK