Производитель Номер продукта:
SSM6J53FE(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6J53FE(TE85L,F)-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Инвентаризация:
12890473
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6J53FE(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 2.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
136mOhm @ 1A, 2.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.6 nC @ 4 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
568 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
ES6
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SSM6J53
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SSM6J53FE(TE85LF)CT
SSM6J53FE(TE85LF)TR
SSM6J53FETE85LF
SSM6J53FE(TE85LF)DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
NTZS3151PT1G
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
17660
Номер части
NTZS3151PT1G-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK040N65Z,S1F
MOSFET N-CH 650V 57A TO247
SSM3K16CT,L3F
MOSFET N-CH 20V 100MA CST3
TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
