SSM6J808R,LF
Производитель Номер продукта:

SSM6J808R,LF

Product Overview

Производитель:

Toshiba Semiconductor and Storage

Номер детали:

SSM6J808R,LF-DG

Описание:

P-CH MOSFET, -40 V, -7 A, 0.035O
Подробное описание:
P-Channel 40 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F

Инвентаризация:

10631 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13309570
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SSM6J808R,LF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+10V, -20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1020 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
150°C
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP-F
Упаковка / Чехол
6-SMD, Flat Leads
Базовый номер продукта
SSM6J808

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
264-SSM6J808RLFDKR
264-SSM6J808R,LFTR
264-SSM6J808RLFCT
264-SSM6J808R,LFDKR-ND
264-SSM6J808R,LFCT-ND
264-SSM6J808RLFTR
264-SSM6J808R,LFCT
264-SSM6J808R,LFTR-ND
264-SSM6J808R,LFDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMTH12H007SPSW-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5

nexperia

PSMNR56-25YLEX

PSMNR56-25YLE/SOT1023/4 LEADS

diodes

DMP22D5UFB4-7B

MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

diodes

DMN39M1LK3-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R