Производитель Номер продукта:
SSM6K217FE,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6K217FE,LF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Подробное описание:
N-Channel 40 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Инвентаризация:
25332 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12891400
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6K217FE,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVII-H
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 8V
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
130 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
ES6
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Базовый номер продукта
SSM6K217
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SSM6K217FELFCT
SSM6K217FE,LF(A
SSM6K217FELFTR
SSM6K217FELFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPH1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
TK65G10N1,RQ
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
TK650A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
