Производитель Номер продукта:
SSM6N35AFE,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6N35AFE,LF-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
Инвентаризация:
87942 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889399
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6N35AFE,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
36pF @ 10V
Мощность - Макс
250mW
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
ES6
Базовый номер продукта
SSM6N35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF-DG
SSM6N35AFELFTR
SSM6N35AFELFCT
SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFELFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM6L14FE(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
SSM6L13TU(T5L,F,T)
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
