Производитель Номер продукта:
SSM6N35AFU,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM6N35AFU,LF-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 285mW (Ta) Surface Mount US6
Инвентаризация:
4755 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889501
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM6N35AFU,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
36pF @ 10V
Мощность - Макс
285mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
US6
Базовый номер продукта
SSM6N35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM6N35AFU,LF(B
SSM6N35AFULF-DG
SSM6N35AFULF
SSM6N35AFULF(B
SSM6N35AFULFTR
SSM6N35AFULFDKR
SSM6N35AFU,LF(T
SSM6N35AFULFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SSM6N7002BFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6
SSM6P35FE,LM
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
SSM6N35FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
