Производитель Номер продукта:
TJ10S04M3L,LXHQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TJ10S04M3L,LXHQ-DG
Описание:
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 40 V 10A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
3925 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12939667
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TJ10S04M3L,LXHQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
44mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+10V, -20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
930 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
27W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TJ10S04
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
264-TJ10S04M3LLXHQCT
264-TJ10S04M3LLXHQDKR
264-TJ10S04M3LLXHQTR
TJ10S04M3L,LXHQ(O
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
UPA2630T1R-E2-AX
MOSFET P-CH 12V 7A 6HUSON
NTD3055-094G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
NTTFS4C10NTAG
MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
