Производитель Номер продукта:
TJ20A10M3(STA4,Q
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TJ20A10M3(STA4,Q-DG
Описание:
TJ20A10M3(STA4,Q
Подробное описание:
P-Channel 100 V 20A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Инвентаризация:
12991587
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TJ20A10M3(STA4,Q Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
-
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220SIS
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
TJ20A10
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
264-TJ20A10M3(STA4Q
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB95R130PFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
ISZ75DP15LMATMA1
TRENCH >=100V
IAUTN12S5N017ATMA1
MOSFET_(120V 300V)