Производитель Номер продукта:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 50A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount DPAK+
Инвентаризация:
2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889173
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+10V, -20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6290 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
90W (Tc)
Рабочая температура
175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK+
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
TJ50S06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
TJ50S06M3LT6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR
TJ50S06M3L(T6L1NQ
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQDKR-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1,NQCT-DG
TJ50S06M3L(T6L1NQ-DG
264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR
264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
2SK3466(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 500V 5A 4TFP
