Производитель Номер продукта:
TK065U65Z,RQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK065U65Z,RQ-DG
Описание:
DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Подробное описание:
N-Channel 650 V 38A (Ta) 270W (Tc) Surface Mount TOLL
Инвентаризация:
5868 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989670
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK065U65Z,RQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
DTMOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
65mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.69mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3650 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TOLL
Упаковка / Чехол
8-PowerSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
264-TK065U65ZRQCT
264-TK065U65ZRQTR
TK065U65Z,RQ(S
264-TK065U65ZRQDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTBGS001N06C
POWER MOSFET, 60 V, 1.1 M?, 342
IPW65R110CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
NVMFS5C420NLT1G
POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
