Производитель Номер продукта:
TK090Z65Z,S1F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK090Z65Z,S1F-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Подробное описание:
N-Channel 650 V 30A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247-4L(T)
Инвентаризация:
25 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12976036
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK090Z65Z,S1F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.27mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2780 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4L(T)
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
264-TK090Z65Z,S1F-DG
Q13998932
264-TK090Z65Z,S1F
264-TK090Z65ZS1F
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIDR510EP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
SIDR570EP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE
SQJ140ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
