Производитель Номер продукта:
TK100L60W,VQ
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK100L60W,VQ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
Подробное описание:
N-Channel 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Инвентаризация:
444 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890607
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK100L60W,VQ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSIV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.7V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
797W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3P(L)
Упаковка / Чехол
TO-3PL
Базовый номер продукта
TK100L60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
100
Другие названия
TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
