Производитель Номер продукта:
TK110Z65Z,S1F
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
TK110Z65Z,S1F-DG
Описание:
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Подробное описание:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Through Hole TO-247-4L(T)
Инвентаризация:
15 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987888
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TK110Z65Z,S1F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tube
Серия
DTMOSVI
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
110mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.02mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2250 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
190W (Tc)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4L(T)
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
264-TK110Z65Z,S1F
264-TK110Z65ZS1F
264-TK110Z65Z,S1F-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DI020P06PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
PJZ9NA90_T0_10001
MOSFET
